ZHOU Xiu-Wen, PENG Xiu-Yan. Calculation of the Binding Energy of Ecitons in Spherical GaAs-Ga1-xAlxAsQuantum Dots by Variational Approach[J]. journal6, 2007, 28(5): 60-64.
[1] 闫占彪,郭震宁.纳米结构中激子研究进展 [J].半导体技术,2005,30(12):44-48.[2] 曾谨言.量子力学 [M].北京:科学出版社,1993.[3] HEON HAM.Electronic and Optical Properties of Quantum Nano-Structures [D].Chicago:Illinois Institute of Technology,2001.[4] CHO A Y,CHEN D R.GaAs MESFET Prepared by Molecular Beam Epitaxy (MBE) [J].Appl. Phys. Lett.,1976,28:30-33.[5] 江德生.半导体的激子效应及其在光电子器件中的应用 [R].北京:中国科学院半导体研究所,2005.[6] LIU Wen-kai,AN Yan-wei.Dynamics of Cavity Polaritons in a GaAs Quantum-Well Semiconfuctor Microcavity [J].光子学报,2005,34(5):793-796.[7] 王小然.量子物理导论 [M].天津:天津科技翻译出版公司,1991.[8] 文焕邦,刘敬乾.量子力学 [M].成都:四川科学技术出版社,1986.[9] H.F.席弗尔.量子力学 [M].成都:四川大学出版社,1988.[10] CHO A Y,DION R W,CASEY JR,et al.Continuous Room-Temperature Operation of GaAs-AlGaAs Double-Heterostructure Lasers Prepared by Molecular-Beam [J].Appl. Phys. Lett.,1976,28:501-503.[11] 阿莱斯泰雷.量子物理学 [M].南京:江苏人民出版社,2000.[12] 史斌星.量子物理学教程 [M].北京:清华大学出版社,1982.[13] A.P.弗伦奇.量子物理学导论 [M].北京:高等教育出版社,1990.