太赫兹场作用下的GaAs 双量子阱的光吸收分析

journal6 ›› 2011, Vol. 32 ›› Issue (3): 44-47.

太赫兹场作用下的GaAs 双量子阱的光吸收分析

（吉首大学物理科学与信息工程学院，湖南吉首 416000）

出版日期:2011-05-25 发布日期:2012-04-08
通讯作者: 彭金璋（1963-），男，湖南桑植人，吉首大学物理科学与信息工程学院教授，硕士生导师，主要从事铝铜合金材料研究.
作者简介:石长柏（1972-），男（苗族），湖南吉首人，吉首大学物理科学与信息工程学院硕士生，主要从事功能材料研究
基金资助:
湖南省自然科学基金资助项目（10JJ6068）

Optical Absorption in Terahertz-Driven GaAs Quantum Well

(College of Physics Science and Information Engineering,Jishou University,Jishou 416000,China)

Online:2011-05-25 Published:2012-04-08

摘要/Abstract

摘要：用密度矩阵理论分析了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱和双量子阱的光吸收谱.分析表明：在直流和太赫兹场作用下，由于量子约束斯塔克效应，光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率，吸收谱出现恶歇分裂，并产生边带，这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应.

关键词： 光吸收谱, 量子阱, 太赫兹

Abstract: The optical absorption spectra in quantum well driven by both an intense growth-direction-oriented terahertz (THz) and an optical pulse are calculated within the theory of density matrix.It is shown that the electric field produces multiple absorption peaks which come from the quantum confined Stark effect.Much rich optical absorption spectra and the excitonic peak spiting show up when changing the THz field intensity.The Autler-Towns splitting results from the THz nonlinear dynamics of confined excitons and result in the band side generation.

Key words: optical absorption spectrum, quantum well, terahertz

石长柏, 彭金璋. 太赫兹场作用下的GaAs 双量子阱的光吸收分析[J]. journal6, 2011, 32(3): 44-47.

SHI Chang-Bai, PENG Jin-Zhang. Optical Absorption in Terahertz-Driven GaAs Quantum Well[J]. journal6, 2011, 32(3): 44-47.

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