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1. Se与Te替位掺杂对WS₂-MoS₂纳米器件电子输运性质的影响

林丽娥, 廖文虎

吉首大学学报（自然科学版） 2023, 44 (1): 14-23. DOI: 10.13438/j.cnki.jdzk.2023.01.003

摘要（314）

PDF（pc）（7067KB）（148）

基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的第一性原理计算方法，研究了Se与Te原子替位掺杂对WS₂-MoS₂纳米器件电子输运性质的影响.结果表明，WS₂-MoS₂纳米器件为间接带隙半导体，器件电流在[+0.7 V，+1.0 V]与[-1.0 V，-0.9 V]偏压范围内随着偏压的增大逐渐减小，呈现显著的负微分电阻效应；Se与Te原子对WS₂-MoS₂纳米器件进行替位掺杂后均呈现有趣的负微分电阻效应，器件两端电流的隧穿也显著改善；Se原子对WS₂-MoS₂纳米器件中S原子进行替位掺杂时，器件转化为p型半导体；Te原子对WS₂-MoS₂纳米器件中S原子进行替位掺杂时，器件转化为p型半导体甚至金属，且导电性能大幅提升.

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2. 低功率激光作用下的热透镜效应

林依萍, 陈科雄, 李凌燕, 刘景锋

吉首大学学报（自然科学版） 2022, 43 (4): 34-41. DOI: 10.13438/j.cnki.jdzk.2022.04.007

摘要（614）

PDF（pc）（4462KB）（291）

采用COMSOL Multiphysics 5.5软件构建的模型研究了透镜焦距变化与激光功率变化的关系，利用理论分析设计实验方案并确定热透镜焦距计算公式.通过实验探究了低功率激光作用下的热透镜效应，实现了低功率激光作用下热透镜效应的可视化，测得酱油透镜为热凹透镜；使用刀口法测量激光半径，得到热凹透镜的焦距，实验相对误差为3.6%；以焦距为热透镜效应的强度参照量，得到热透镜效应的强度与光功率呈正相关关系.

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3. GeSe纳米电子器件整流特性的掺杂调控

程杨名, 廖文虎

吉首大学学报（自然科学版） 2022, 43 (4): 42-46. DOI: 10.13438/j.cnki.jdzk.2022.04.008

摘要（369）

PDF（pc）（1714KB）（166）

运用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法，研究了第Ⅴ主族原子（P，As，Sb）替位掺杂条件下不同中心半导体沟道长度的GeSe纳米电子器件的整流特性.结果表明，第Ⅴ族原子局部替位掺杂的扶手椅型GeSe纳米带在中心半导体沟道5.1 nm长度范围内，在正偏压下不同中心半导体沟道长度的扶手椅型GeSe纳米带电流随着电压的增大而增大；在负偏压下当中心半导体沟道长度从1.7 nm增加至3.4 nm时，电流不随电压的变化而变化，继续增大中心半导体沟道长度，电流大小接近于0，器件呈现显著的整流特性.

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4. 二维蜂窝弹性材料拓扑态的研究

李荫铭, 孔鹏, 毕仁贵, 何兆剑, 邓科

吉首大学学报（自然科学版） 2022, 43 (4): 47-50. DOI: 10.13438/j.cnki.jdzk.2022.04.009

摘要（518）

PDF（pc）（1996KB）（203）

将谷拓扑态的概念引入弹性材料，设计了一种二维蜂窝弹性声子晶体，当系统受反演对称性保护时，在K(K′)点处出现3个线性简并的狄拉克点，分布在不同的频段.通过调整其几何结构参数，破坏体系的空间对称性，使得在K(K′)点处的狄拉克点打开，形成能谷.这种多频段的能谷之间存在连接上、下体带的边缘态，在弹性材料中利用边缘态实现拓扑输运，可以设计出有良好性能的声学器件，具有一定的研究价值.

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