Se与Te替位掺杂对WS<sub>2</sub>-MoS<sub>2</sub>纳米器件电子输运性质的影响

林丽娥, 廖文虎

Effect of Se and Te Substitution Doping on Electronic Transport Properties of WS₂-MoS₂ Nanodevices

LIN Li'e, LIAO Wenhu

吉首大学学报（自然科学版） . 2023, (1): 14 -23 . DOI: 10.13438/j.cnki.jdzk.2023.01.003