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1. 金属掺杂对碲化镉纳米器件整流特性的影响

杨金彪, 廖文虎, 鲍海瑞

吉首大学学报（自然科学版） 2023, 44 (6): 75-79. DOI: 10.13438/j.cnki.jdzk.2023.06.012

摘要（115）

PDF（pc）（2326KB）（154）

结合密度泛函理论与非平衡格林函数，系统研究了过渡金属（铜-铬、铜-钒和铜-钛）共掺杂碲化镉纳米电子器件的伏安特性.结果表明，3种不同共掺杂碲化镉纳米器件的伏安特性曲线均为二极管伏安特性曲线，并且在[+0.4 V，+0.8 V]偏压范围内均产生了强整流效应，最高整流比分别为5.4×10⁴，3.8×10⁵，2.1×10⁶，投影态密度进一步印证了器件在+1.0 V偏压条件下的高整流比.在铜-铬共掺杂条件下，随着中心区域沟道长度的增加，器件的电流在+0.9 V偏压时有一定程度的降低，但是在[+0.5 V,+0.7 V]偏压范围内，整体整流性能得到了显著提升.

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2. 外加电场和磁场对外尔半金属能带结构的调控

罗淑珍, 廖文虎, 鲍海瑞

吉首大学学报（自然科学版） 2023, 44 (6): 80-89. DOI: 10.13438/j.cnki.jdzk.2023.06.013

摘要（174）

PDF（pc）（3303KB）（195）

基于紧束缚近似下的低能有效哈密顿模型，研究了外加电场、外加磁场及同时外加电场和磁场对外尔半金属电子能带结构的调控作用.结果表明，仅在正向（负向）电场作用下，随着电场强度的不断增大，体系的外尔点逐渐向布里渊区边界（布里渊区中心）移动，当电场强度增大到一定程度时，可以实现半金属向半导体或绝缘体的转变；仅在外加磁场作用下，外尔半金属可以形成分立的朗道能级，n=0子带不随着磁长度的增加而变化，n=1和n=2子带随着磁长度的增加不断向费米能级靠近，且相同指标导带和价带间的能隙不断减小；在保持磁长度不变的条件下，体系的外尔点随着外加正向（负向）电场强度的增大逐渐向布里渊区边界（布里渊区中心）移动，在适当的外加电场作用下，n=0子带由部分占据的价带变为第一导带或完全占据的第一价带，实现半金属向半导体或绝缘体的转变.

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3. 基于无轨道密度泛函理论的金属钠板系统能量泛函

刘润凤, 胡奇宏, 周芳, 程晓迪, 王小云, 黄勇刚

吉首大学学报（自然科学版） 2023, 44 (6): 90-96. DOI: 10.13438/j.cnki.jdzk.2023.06.014

摘要（122）

PDF（pc）（713KB）（160）

使用OF-DFT计算了金属钠板的基态密度和功函数，并通过大量数值实验，确定了对于金属钠板获得准确基态性质所需的vW动能泛函.结果表明，金属钠板获得准确基态性质所需的vW动能泛函比重为0.4，该动能泛函比重能适用于不同的交换关联势.

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