基于压控单元的单电子晶体管宏模型

journal6 ›› 2009, Vol. 30 ›› Issue (6): 63-65.

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

（1．湖南工程职业技术学院，湖南长沙 410151；2．湖南大学物理与微电子科学学院，湖南长沙 410082）

出版日期:2009-11-25 发布日期:2012-04-20
作者简介:周少华（1963-），男，湖南祁阳人，湖南工程职业技术学院副教授，硕士，湖南大学访问学者，主要从事电子器件与系统研究；曾健平（1966-），男，湖南祁东人，湖南大学物理与微电子科学学院副教授，博士生，主要从事新型微电子器件及其集成化研究.
基金资助:
湖南省教育厅科学研究资助项目（07D025，08D042）；湖南省科技计划项目（2008FJ3123）

Macro-Model of Single-Electron Transistor Based on Voltage-Controlled Unit

(1.Hunan Vocational College of Engineering and Technology,Changsha 410151,China;2.School of Physics and Microelectronics Science,Hunan University,Changsha 410082,China)

Online:2009-11-25 Published:2012-04-20

摘要/Abstract

摘要：在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上，笔者采用等效电路的方法，提出了基于压控单元的SET宏模型，仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比，得出曲线的走势与理想曲线基本一致，偏差不大.并且通过计算表明，数值的精度在合理范围内，验证了模型的合理性.

关键词： 等效电路, 宏模型, 纳米遂穿结, 单电子晶体管

Abstract: Based on the analysis of characteristics in single electron tunneling junction and single-electron transistor,using the equivalent circuit method,macro-model was proposed based on the voltage-controlled unit.Simulation was executed subsequently to get characteristic curves.Comparison between curves was obtained by simulator,and ideal curves was done to indicate the same trend.Numerical calculations verify that the model is reasonable.

Key words: equivalent circuit, macro-model, nanometer tunneling junction, single-electron transistor

周少华, 熊琦, 杨红官, 戴大康, 曾健平, 曾云. 基于压控单元的单电子晶体管宏模型[J]. journal6, 2009, 30(6): 63-65.

ZHOU Shao-Hua, XIONG Qi, YANG Hong-Guan, DAI Da-Kang, ZENG Jian-Ping, ZENG Yun. Macro-Model of Single-Electron Transistor Based on Voltage-Controlled Unit[J]. journal6, 2009, 30(6): 63-65.