journal6 ›› 2007, Vol. 28 ›› Issue (5): 70-72.

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基于R-MOSFET-C的低通滤波器的设计

  

  1. (1.湖南大学电气与信息工程学院,湖南 长沙 410082;2.吉首大学物理科学与信息工程学院,湖南 吉首 416000)
  • 出版日期:2007-09-25 发布日期:2012-06-11
  • 作者简介:刘昕(1973-),女,湖南保靖人,吉首大学物理科学与信息工程学院副教授,硕士生,主要从事电路与系统研究.
  • 基金资助:

    国家自然科学基金资助项目(10647132);湖南省教育厅科学研究项目(05C141)

Design of Low-Pass Filter Based on R-MOSFET-C

  1. (1.College of Electrical and Information Engineering,Hunan University,Changsha 410082,China;2.College of Physics Science and Information Engineering,Jishou University,Jishou 416000,Hunan China)
  • Online:2007-09-25 Published:2012-06-11

摘要:利用R-MOSFET-C器件和CMOS全平衡结构运算放大器设计一个截止频率为500 kHz的四阶巴特沃斯(Butterworth)低通滤波器,该滤波器由工作在线性区的MOS管来做为压控电阻,从而代替一般有源RC滤波器中无源电阻R,通过调节栅极电压大小来改变其等效电阻,达到滤波器截止频率的精确可调.

关键词: R-MOSFET-C 滤波器, Butterworth低通滤波器, PSPICE仿真

Abstract: A fourth-order Butterworth low-pass filter with accurate tunable frequency is designed using CMOS operational amplifier.Utilize the liberalized model behavior of an MOS transistor operating in the triode region instead of a passive resistor.Through tuning the grid-voltage of MOS transistor,we can tune the equivalent resistance,accordingly accurately tuning the cut-off frequency of the filter.The filter’s cut-off frequency is 500 kHz.

Key words: R-MOSFET-C filter;Butterworth low-pass filter;PSPICE , simulation

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