Bi2Ti2O7薄膜的制备及在栅场效应管中的应用

journal6 ›› 2006, Vol. 27 ›› Issue (1): 107-109.

Bi₂Ti₂O₇薄膜的制备及在栅场效应管中的应用

（吉首大学化学化工学院，湖南吉首 416000）

出版日期:2006-01-25 发布日期:2012-09-16
作者简介:杨朝霞（1973-），女（苗族），湖南省花垣县人，吉首大学化学化工学院高级实验师，主要从事分析化学研究.

Preparation of Bi₂Ti₂O₇ Thin Film and Its Application in Insulation Gate Field Effect Transistor

(College of Chemistry and Chemical Engineering,Jishou University,Jishou 416000,Hunan China)

Online:2006-01-25 Published:2012-09-16

摘要/Abstract

摘要：采用化学溶液沉积法，用价格低廉的原料成功地制备了Bi₂Ti₂O₇介质膜.制膜过程简单，成本低廉，得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的SiO₂绝缘栅场效应管相比，前者具有较高的跨导和较低的开启电压.

关键词： Bi₂Ti₂O₇薄膜, 介电常数, 绝缘栅场效应管

Abstract: The Bi₂Ti₂O₇ thin film was successfully prepared by chemical solution deposition technique on n-Si (100) using bismuth nitrate and titanium butoxide as the starting materials.The film presents very good insulating property and has relatively high dielectric constant.Compared with the SiO₂ insulation gate field effect transistor of the same size,it can greatly increase the transconductance and lower the cut-in voltage.

Key words: Bi₂Ti₂O₇thin film；dielectric constant, insulation gate field effect transistor

杨朝霞. Bi₂Ti₂O₇薄膜的制备及在栅场效应管中的应用[J]. journal6, 2006, 27(1): 107-109.

YANG Chao-Xia. Preparation of Bi₂Ti₂O₇ Thin Film and Its Application in Insulation Gate Field Effect Transistor[J]. journal6, 2006, 27(1): 107-109.

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Bi₂Ti₂O₇薄膜的制备及在栅场效应管中的应用

Preparation of Bi₂Ti₂O₇ Thin Film and Its Application in Insulation Gate Field Effect Transistor

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